Bei Transistoren aber die Vorwiderstände nicht vergessen (an der Basis). Bei Mosfets sind sie nicht unbedingt nötig, man kann aber welche einbauen (max bis ca. 50Ohm, mehr sollte man nicht nehmen).
MfG Hannes
Bei Transistoren aber die Vorwiderstände nicht vergessen (an der Basis). Bei Mosfets sind sie nicht unbedingt nötig, man kann aber welche einbauen (max bis ca. 50Ohm, mehr sollte man nicht nehmen).
MfG Hannes
Hallo Hannes,
Die Power-FETs bestehen eigentlich aus hunderten kleiner FETs welche alle parallel geschaltet sind. Dadurch ergibt sich eine recht grosse Gate-Kapazität.Zitat von 021aet04
Die Gate-Widerstände haben nun 2 Aufgaben:
1. Besonders bei niederohmigen Treibern fliessen sehr grosse Ströme, wenn man den Gate-Kondensator umlädt. Der Widerstand begrenzt den Spitzenstrom.
2. Zusammen mit der Gate-Kapazität bildet der Widerstand einen Tiefpass. Dadurch ändert sich die Gate-Spannung nur mit einer begrenzten Rate. FETs haben keine Raumladungszone, welche erst aufgefüllt oder ausgeräumt werden müssen und arbeite physikalisch praktisch ohne eine Verzögerung. Praktisch wird die Schaltgeschwindigkeit eigentlich nur durch die Gate-Kapazität und den Zuleitungs-Widerständen begrenzt. Allerdings machen die hohen Schaltgeschwindigkeiten eine Menge (EMV-)Ärger. Da schon jeder Draht eine Induktivität und Kapazität hat, hat man auch eine Menge Schwingkreise in der Schaltung. Das Problem nennt man ringing. Steile Flanken regen dann diese Schwingkreise an, was enorme Spannungsspitzen erzeugen kann, welche dann gerne den FET schädigen. Mit den Gate-Widerstand kann man einfach die Flankensteilheit begrenzen.
MfG Peter(TOO)
Manchmal frage ich mich, wieso meine Generation Geräte ohne Simulation entwickeln konnte?
Das stimmt schon, aber bei einem Kleinleisttungsfet (wie oben von mir geschrieben BS170) wird keiner benötigt. Bei Leistungsfets hat man logischerweise höhere Ströme und dadurch auch höhere Gefahren durch EMV,...
Trotzdem würde ich mit den Widerständen nicht über 50 Ohm gehen, da der Fet zu lange im Übergangsbereich ist und dadurch heiß wird. Eher im Bereich zwischen 10 und 30 Ohm und zusätzlich eine eigene Treiberstufe (nicht vom uC, o.Ä. direkt ansteuern).
MfG Hannes
Hallo Hannes,
Wie immer in der Technik geht es heir um einen Kompromiss.
Eine möglichst schnelle Schaltzeit bringt geringe Verluste. Dafür steigt der Aufwand für EMV-Massnahmen. Hinzu kommen noch die Spannungsspitzen, welche dann den FET zerstören können.
Wichtig ist halt, dass man die grundlegenden Zusammenhänge kennt.
MfG Peter(TOO)
Manchmal frage ich mich, wieso meine Generation Geräte ohne Simulation entwickeln konnte?
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