Da meine Formel tief im Topic begraben ist wollte ich sie hier der einfachheit nochmal schreiben
Begrenzugsstrom I(lim) = ( U(ZDiode) - U(B-E) ) / R(E)
da U(B-E) nur geschätzt werden kann weil es teils starken Fertigungsschwankungen unterliegt und auch dem Temperaturdrift kommt es meist sowieso darauf an den Emitterwiederstand als Trimmpotentiometer auszulegen und zu justieren bis man das gewünschte Ergebins bekommt.
HINWEISE FÜR DIE ANWENDUNG DER SCHALTUNG:
Wenn man einen relativen hohen Strom bei niedriger Spannung einstellen will, muss R(E) und somit auch U(Z) relativ klein sein und die Schwankung von U(B-E) fällt noch stärker ins Gewicht.
Außerdem darf der HFE vom Transistor nicht zu klein sein!
Bei steigender Spannung verzerrt sich durch die Kennline der Z-Diode außerdem U(Z) auch ein wenig also alles sehr Temperaturempfindlich!
Und bitte bitte nicht vergessen, die Leistung fällt am Transistor ab! Also immer U*I um auszurchnen weiviel Abwärme Leistung im worst case über den Transistor verheizt wird!!!
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