Passenden MosFet auswählen

[redround]

Sorry Klebwax - aber das sehe ich nicht so. Die Gate-Kapazität kann sich ja nicht in Luft auflösen, also muss sie beim Umladen irgendwohin. Da kommt es jetzt darauf an, was den Mosfet ansteuert. Nutzt man zum Beispiel Logik-Gatter als Treiber, haben die in der Regel sog. Push-Pull-Ausgänge und können die Gate-Kapazität darüber ableiten. In dem Fall könnte man auf den Ableitwiderstand in der Tat verzichten. Anders sieht es bei der Ansteuerung durch Komponenten mit Tri-State-Ausgängen aus, wie sie Controller üblicherweise haben. Die können die Ladung eben nicht abführen.



Andererseits brauchen Mosfets keinen Pulldown Widerstand, da selbst bei Logiklevel Typen in der Regel mehr als 2Volt brauchen um zu leiten. Diese 2Volt fängt man sich aber über Induktion und ähnliches nicht ein, weshalb der Zustand beim Einschalten sehr wohl definiert ist.



Der Widerstand vor dem Gate hat übrigens neben der EMV Begrenzung noch eine andere Aufgabe: er soll den Kontrollerpin vor einer Überlast schützen. Im Moment des Wechsels von Low nach High wirkt die Gatelapazität wie ein Kurzschluss und es fließt der max. Strom. Einem AVR Pin kann man aber nur 40 mA entnehmen und man sollte ihn nicht mit mehr als 20mA belasten. 5 Volt und 20 mA ergeben einen Wert von 100 Ohm am Gate. Den sollte man im Interesse des Controllers auch nicht ohne zwingenden Grund unterschreiten.

[Klebwax]

. Nutzt man zum Beispiel Logik-Gatter als Treiber, haben die in der Regel sog. Push-Pull-Ausgänge und können die Gate-Kapazität darüber ableiten. In dem Fall könnte man auf den Ableitwiderstand in der Tat verzichten. Anders sieht es bei der Ansteuerung durch Komponenten mit Tri-State-Ausgängen aus, wie sie Controller üblicherweise haben. Die können die Ladung eben nicht abführen.

Tri-State Ausgänge sind auch ganz normale Logicausgänge. Und sie treiben aktiv sowohl nach High als auch nach Low, bei CMOS auch etwa gleichstark nach beiden Seiten. Tri-State ist ein dritter (Tri) Zustand, weder High noch Low. Bei einem µC z.B. wird dann der Pin Input, wie ich geschrieben habe. Und mit einem Input kann ich gar nichts steuern, die Schaltung ist also in diesem Fall funktionsunfähig. Um das in den Griff zu bekommen und nicht für die wirkliche Funktion braucht man den Pull-Down.

Andererseits brauchen Mosfets keinen Pulldown Widerstand, da selbst bei Logiklevel Typen in der Regel mehr als 2Volt brauchen um zu leiten. Diese 2Volt fängt man sich aber über Induktion und ähnliches nicht ein, weshalb der Zustand beim Einschalten sehr wohl definiert ist.

Das ist nicht so. Die Gates von FETs wie auch die Eingänge von CMOS Logic (sind ja auch nur FETs) sind so hochohmig, daß schon kleinste elektrostatische Ladungen zur Ansteuerung reichen. Im schlechtesten Fall fängt es an unkontrolliert zu schwingen. Deswegen darf man auch CMOS Logiceingänge nicht offen lassen.

5 Volt und 20 mA ergeben einen Wert von 100 Ohm am Gate. Den sollte man im Interesse des Controllers auch nicht ohne zwingenden Grund unterschreiten.

Du solltest den Innenwiderstand des uC Ausgangs (den Rdson der µC internen Transistoren) nicht vergessen. Er begrenzt den Strom genug. Die 20mA sind Dauerstrom, das Umladen des Gates ist ein Peak. Sobald die Gatespannung ansteigt, vermindert sich der Strom. Eine langsame Ansteuerung (durch das RC-Glied) im wirklichen Lastbetrieb überhitzt und killt den FET eher, als der µC leidet.

MfG Klebwax

[redround]

ich seh schon, dass wir uns bei der Begründung nicht einig werden ... Hauptsache wir sind alle der Meinung, dass ein Widerstand zwischen Gate und Source Sinn macht und dass eine Größe von 10 bis 100 kOhm Sinn macht (egal, ob er nun Pull-Down oder Gate-Ableit-Widerstand heißt ) ... so wie dass ein Widerstand vor dem Gate zumindest die EMV-Emision verringert. Als Begründung darf dann jeder seine Meinung heran ziehen

PS: ich selbst nutze statt des BUZ übrigens auch lieber IRLZ als Logiklevel und IRFZ bei höheren Gate-Source-Spannungen. Der BUZ ist wenn ich mich nicht irre übrigens kein Logik-Level MOSFET sondern braucht eine Gate-Source Spannung von 10 Volt um in Sättigung zu gehen. Ist für eine direkte Ansteuerung durch den Controller also eher ungeeignet. Aber das ist unter vorbehalt, da ich das Datenblatt jetzt nicht auswendig kenne

[schorsch_76]

Es gibt für Gate-Treiber auch eine wunderschöne Wikipedia Seite
http://de.wikipedia.org/wiki/Gate-Treiber

Insbesonders dieses Bild

Quelle: Wikipedia

Damit kann man dann auch Mosfets treiben welche eine höhere Spannung am Gate haben wollen als 5 V. Den Eingang der Schaltung kann man mit einem kleinen MOSFET oder NPN natürlich dann vom AVR treiben lassen. Das würde ich ganz einfach deshalb schon tun, das der untere PNP Transistor voll und sicher gesperrt ist, wenn der obere NPN Transistor leitet.

Gruß
Georg

[Cysign]

Laut Datenblatt hat der Buz11

Gate Threshold Voltage VGS(TH) VGS = VDS, ID = 1mA (Figure 9) 2.1(min) 3(norm) 4 V(max)

Ist also optimal für nen AtMega geeignet