Hallo,
anbei jetzt die originale Schaltung. Die ist doch ein wenig einfacher, nur hab ich beim P-FET (U7) eben leider eine Verlustleistung von bis zu 8W bei 5A und 40V Eingangsspannung.
Stimmt, die Kapazität des FETs sind eigentlich die Haupt-Ursache für die Verluste.
Beim Simulieren habe ich bemerkt, dass in erster Linie die Gateladung (Total Gate Charge - also die Kapazitäten) die Schaltzeiten und somit die Schaltverluste bestimmt.
Allerdings habe ich bis jetzt keinen besseren als den momentan verwendete P-MOSFET - FQP27P06 - gefunden, der für 60V und mehr als 5A ausgelegt ist. Der hat eine Total Gate Charge von 33 - 43nC und einen relativ niedrigen Rds On von ca. 70m Ohm.
Da ich mit P-FETs aber anscheinen nichts mehr rausholen kann, dachte ich mir, ich versuchs mal mit einem N-FET, weil die angeblich bessere Eigenschaften haben.
Nur muss ich dazu eben aus dem Signal für den P-FET ein Signal für einen N-FET machen. Wobei ich mit der vorher angefügten Schaltung eben Probleme hatte weil die Umwandlung das originale Signal sehr stark verzögert bzw. unschöne Flanken macht.
Für Anregungen oder mögliche Lösungen zu dem P-FET - Problem oder der Umwandlung von einem N-FET-Signal in ein P-FET-Signal bin ich sehr dankbar.
LG,
Philipp
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