Ja, aber bei (MOS)FETs gibt es keinen Collector, wie bei bipolaren Transistoren, sondern Drain.
Ja.
Auf vorhandene UGS Spannung auf der Steuerseite und max. UDS Spannung, max. ID Strom sowie max. PTOT Verlustleistung auf der Lastseite.
Vereinfacht ja.
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