Hallo Klebwax,
Ein FET hat eine gewisse Eigensicherheit. Wird er warm steigt der Widerstand, was dem Strom etwas entgegen wirkt.
Die gilt auch für Effekte auf dem Kristall selbst, der leitet auch nicht überall genau gut.
Beim bipolaren Transistor ist das anders und man kennt deshalb auch den zweiten Durchbruch.
Ist eine Stelle im Kristall etwas wärmer, wird diese Stelle niederohmiger. Dadurch fliesst an diesem Punkt etwas mehr Strom und diese Stelle wird noch wärmer (Hot Spot). Hinzu kommt noch, dass das, durch den Strom erzeugte, Magnetfeld den Querschnitt, in welchem der Strom fliesst, noch weiter einengt...
Das geht dann so weit, dass das Silizium lokal aufgeschmolzen wird!
MfG Peter(TOO)
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