Tja, vielleicht sollte man zuerst einmal den FET abklemmen und den Ausgang der Ansteuerung inklusive 1k-Widerstand auf Anstiegs-/Abfallzeiten mit dem Oszi untersuchen (mit der auf 1 nF gerundeten Gatekapazität kommt hier keiner auf ein schlüssiges Ergebnis). Infos über den Aufbau (Lochraster/Steckbrett/Platine, Zuleitungen, bei 8A speziell auch die Masseführung) wären auch nicht schlecht.
Alles andere ist Glaskugellesen - insbesondere, wenn ich lese, dass bei halbierter Frequenz eine andere Wirkung eintritt.
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