LDO Mosfet 19650 Akku auf 3,3V

[Lordcyber]

Hallo,
ich möchte gerne meine Schaltung per mit einem oder 2 18650 3,7V daher voll geladen 4.2 V versorgen.
Alles ist auf 3,3V ausgelegt.

Knackpunkt MUSS SO oder TO Bauform sein. DA ich keine SMD Löten kann Nur Normaler Lötkolben und die Augen verlassen einen langsam,

Dazu brauchte ich einen LDO mit mindestens 1A da er 2 ESP versorgen muß sowie andere Sensoren sowie einen davor geschalteten Mostet.
Die Schaltung wird nicht über Sleep laufen sondern einen Timerchip.

Was könnt ihr mir da an Bauteile empfehlen die auch Inaktiv mir nicht den Akku leersaugen.
LDO wäre ja nicht so relevant aber der Mosfet. da der ja vor den LDO kommt
Danke

[Lordcyber]

Hm komisch so viele Leute hier und keiner weiß was ich an LDO oder LDO und Mosfet nehmen soll?

[Moppi]

Auf den ESP-Boards sind normal LDO-Regler schon verbaut, warum extra welche kaufen?
Zusätzliche Sensoren kannst Du vom ESP-Board her versorgen (weil die einen LDo-Regler drauf haben, ca bis 1A pro Board).

[Lordcyber]

Auf den ESP-Boards sind normal LDO-Regler schon verbaut, warum extra welche kaufen?
Zusätzliche Sensoren kannst Du vom ESP-Board her versorgen (weil die einen LDo-Regler drauf haben, ca bis 1A pro Board).

Danke, Aber der ESP201 hat eben keinen drauf. Genau darum ging es mir ja auch. Das ich alles inklusive Sensoren abschalten kann. Da über den LDO 2 ESP Versorgt werden sollen die per Timer Chip inkl alles Sensoren Abgeschaltet werden sollen.

- - - Aktualisiert - - -

Den FET betreffend: Einige Schaltungen (ohne jegliche Verbindung nach außen) kann man komplett mit einem N-CH-FET an der Masse ausschalten. Programmierbare Systeme gehören meiner bescheidenen Meinung nach nicht dazu. Da hängt üblicherweise noch der Programmer von Außen ohne galvanische Trennung dran.
Also müsste man die Sache HighSide mit einem P-Channel-MOSFET nebst ein wenig Logik schalten.


Der N-CH T1 zieht hier bei Schalt >= 3V die Gatespannung von T2 auf Masse. Dadurch wird T2 leitend.
Bei Schalt = 0V sperrt T1 und die Gatespannung von T2 flippt über R1 auf die Akkuspannung. Damit sperrt T2.
Für T1 bietet sich z.B. ein 2N7000 an, T2 könnte ein IRFR 9024 sein. Keine Angst vor dem TO252, das ist zwar SMD, aber kaum kleiner als TO-220. Wer die Löcher von TO92 findet, sieht in der Regel auch die Pads von den dicken SMDs noch

Vielen Dank für die Antwort. Auf SMD werde ich wohl gehen müssen. Damit hab ich mich schon arrangiert und entsprechend Lupe und Pinzette bestellt.
JA es sollte ein P-Chanel sein. Da der TimerChip TPL5110 der das ganze steuern soll ja ein Positiv ausgibt.

Mir geht es eher um den Verlust. das der so Gering wie möglich ist. Da alles wie gesagt über Akku läuft.

[Holomino]

Die Verluste sind im Betrieb am RdsOn abzulesen (der Widerstand, den der Transistor im durchgeschalteten Zustand hat). Da gibt es sicherlich noch bessere Typen, als den IRFR 9024 mit 0,28 Ohm.

Im ausgeschalteten Zustand kann man noch auf den "Leakage Current" achten (der liegt üblicherweise im µA-Bereich und gibt an, was beim sperrenden Zustand noch durchschlüpft).

Erfahrungsgemäß (so trendmäßig) sind diese Werte bei Typen mit niedrigerem VDS (z.B. für 20V der TSM260P02 mit RdsOn= ca 30 mOhm, LeakageCurrent=10µA) besser. Die sind dann meist aber auch wirklich für Deinen geplanten Anwendungsbereich bereits so klein (SOT-23), da muss man halt als Maulwurf mutig sein (nach dem Löten einmal die Kontakte durchpiepsen verhindert das Schlimmste. Wenn Dir die Teile vor dem Einlöten schon aus der Pinzette springen, sind sie allerdings unwiederbringlich weg, also gleich Reserven bestellen).

[Lordcyber]

Die Verluste sind im Betrieb am RdsOn abzulesen (der Widerstand, den der Transistor im durchgeschalteten Zustand hat). Da gibt es sicherlich noch bessere Typen, als den IRFR 9024 mit 0,28 Ohm.

Im ausgeschalteten Zustand kann man noch auf den "Leakage Current" achten (der liegt üblicherweise im µA-Bereich und gibt an, was beim sperrenden Zustand noch durchschlüpft).

Erfahrungsgemäß (so trendmäßig) sind diese Werte bei Typen mit niedrigerem VDS (z.B. für 20V der TSM260P02 mit RdsOn= ca 30 mOhm, LeakageCurrent=10µA) besser. Die sind dann meist aber auch wirklich für Deinen geplanten Anwendungsbereich bereits so klein (SOT-23), da muss man halt als Maulwurf mutig sein (nach dem Löten einmal die Kontakte durchpiepsen verhindert das Schlimmste. Wenn Dir die Teile vor dem Einlöten schon aus der Pinzette springen, sind sie allerdings unwiederbringlich weg, also gleich Reserven bestellen).

Naja Drum herum komm ich ja nicht. Kollege hätte:
NTR1P02LT1G würden die auch gehen. Sollte eben etwas sein das sich relativ schnell beschaffen läßt Ebay oder so was.

[Holomino]

Den FET betreffend: Einige Schaltungen (ohne jegliche Verbindung nach außen) kann man komplett mit einem N-CH-FET an der Masse ausschalten. Programmierbare Systeme gehören meiner bescheidenen Meinung nach nicht dazu. Da hängt üblicherweise noch der Programmer von Außen ohne galvanische Trennung dran.
Also müsste man die Sache HighSide mit einem P-Channel-MOSFET nebst ein wenig Logik schalten.


Der N-CH T1 zieht hier bei Schalt >= 3V die Gatespannung von T2 auf Masse. Dadurch wird T2 leitend.
Bei Schalt = 0V sperrt T1 und die Gatespannung von T2 flippt über R1 auf die Akkuspannung. Damit sperrt T2.
Für T1 bietet sich z.B. ein 2N7000 an, T2 könnte ein IRFR 9024 sein. Keine Angst vor dem TO252, das ist zwar SMD, aber kaum kleiner als TO-220. Wer die Löcher von TO92 findet, sieht in der Regel auch die Pads von den dicken SMDs noch