SMD Mosfet, Gate 3,3V, gesteuerte Spannung 12V

[Peter(TOO)]

Hallo Cysign,

Ich bin mir noch nicht sicher, wie ich die Fig 1 interpretieren muss.

Ich hab mir jetzt mal das Datenblatt des IRLR2905 angesehen: http://cdn-reichelt.de/documents/dat...RLR2905_IR.pdf
Die 3V-Kurve wäre dann 3V auf Gate?

Dann könnte ich demnach ja ca. 10,5A schalten mit 3V.

Die 2te Kurve von unten ist 3V am Gate.

Das mit den Strom hast du vermutlich falsch gelesen, bzw. kommt darauf an, welche Spannung an U_DS erlaubt ist.
Da die Skalierung logarithmisch ist hast du bei geschätzt 18A etwa 1V an U_DS, sind dann aber auch 18W Verlustleitung.
Versuchst du den Strom weiter zu erhöhen fängt der FET an als Stromquelle zu arbeiten. Bei U_GS = 3V bleibt es dann bei etwa 18A aber der Spannungsabfall an DS wird grösser.

Bei 9A und U_GS = 3V, hast du einen Spannungsabfall U_DS von 0.3V.

Fig 3 würde das auch bestätigen oder überseh ich da schon wieder was?

Im Prinzip stimmt das so.
Bei U_GS = 3V hast du einen recht temperaturstabilen Arbeitspunkt.
Bei U_GS = 5V sind es bei 25°C 100A und bei 175°C noch rund 75A. Allerdings bi einem Spannungsabfall von U_DS von etwa 2.5V

MfG Peter(TOO)
P.S. Gib bitte immer den Link zum Datenblatt an.
Je nach Hersteller und Datum sind manche Dinge etwas anders, auch wenn es der selbe Typ ist.