Hallo Hannes,
Zitat Zitat von 021aet04 Beitrag anzeigen
Bei Transistoren aber die Vorwiderstände nicht vergessen (an der Basis). Bei Mosfets sind sie nicht unbedingt nötig, man kann aber welche einbauen (max bis ca. 50Ohm, mehr sollte man nicht nehmen).
Die Power-FETs bestehen eigentlich aus hunderten kleiner FETs welche alle parallel geschaltet sind. Dadurch ergibt sich eine recht grosse Gate-Kapazität.

Die Gate-Widerstände haben nun 2 Aufgaben:
1. Besonders bei niederohmigen Treibern fliessen sehr grosse Ströme, wenn man den Gate-Kondensator umlädt. Der Widerstand begrenzt den Spitzenstrom.
2. Zusammen mit der Gate-Kapazität bildet der Widerstand einen Tiefpass. Dadurch ändert sich die Gate-Spannung nur mit einer begrenzten Rate. FETs haben keine Raumladungszone, welche erst aufgefüllt oder ausgeräumt werden müssen und arbeite physikalisch praktisch ohne eine Verzögerung. Praktisch wird die Schaltgeschwindigkeit eigentlich nur durch die Gate-Kapazität und den Zuleitungs-Widerständen begrenzt. Allerdings machen die hohen Schaltgeschwindigkeiten eine Menge (EMV-)Ärger. Da schon jeder Draht eine Induktivität und Kapazität hat, hat man auch eine Menge Schwingkreise in der Schaltung. Das Problem nennt man ringing. Steile Flanken regen dann diese Schwingkreise an, was enorme Spannungsspitzen erzeugen kann, welche dann gerne den FET schädigen. Mit den Gate-Widerstand kann man einfach die Flankensteilheit begrenzen.

MfG Peter(TOO)