Der J-FET benutzt als Isolation eine Diode in Sperrrichtung.
Der Vorteil lag darin, dass man J-FETs mit dem selben Prozess wie Bipolar-Transistoren Herstellen konnte.
Der Nachteil liegt beim Gate-Leckstrom, da hat man alles was man von einer Diode kennt.

Der MOS-FET benutzt eine echte Isolationsschicht. Technologisch musste man dies aber erst einmal in den Griff bekommen!

Bis etwa Mitte der 70er Jahren, hatte man auch noch Mühe N-MOS und P-MOS effizient auf dem selben Chip herzustellen. Es gab zwar die CD4000er seit Ende der 60er Jahre als CMOS, aber die ersten µP-Familien wurden noch meist in N-MOS ausgeführt.

Die Isolationsschicht ist heute noch ein Thema. Die begrenzte Anzahl an Programmierzyklen bei EPROMs, EAROMs und heutigen FLASH-Speicher liegt in der Isolation.

MfG Peter(TOO)