Zitat Zitat von Cysign Beitrag anzeigen
Code:







                  Vin (Batt) -------   -------.
                                    \ ^       |
                                    -o-       |
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                                     |       .-.
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                                     |       | |
                                     |       '-'
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                                     |        |
                                     |        |
                                     |        |
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                                     |    .---.
                                     |    |   |
                     ___             |    |   |
           µC-GPIO -|___|------------'    |   |
                                          |   |
                                          |   |
                                          |  .-.
                                          |  | |
                     ___                  |  | |
            µC-ADC -|___|------------------  '-'
                                              |

                                             Gnd
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So in etwa würde ich mir das mit dem NPN-Transistor vorstellen. Aber ich bräuchte natürlich einen geeigneten Transistor dafür. Der Akku muss im Bereich 2,75V (untere Entladungsgrenze) bis 4,2V (Ladespannung) gemessen werden.
Das haut so nicht hin
Die Basisspannung müsste mindestens 0.7V höher als VIN sein!

Du musst einen PNP verwenden.
Zudem muss da noch ein Widerstand über die Basis-Emitter-Strecke. An der Basis entstehen noch Leckströme, dann sperrt der Transistor nicht 100%, Der Widerstand zwischen B-E leitet diese Leckströme ab.
Den GPIO-Pin kannst du auch nicht direkt verwenden.
Einerseits liefert der maximal 3.3V und wenn der µC ausgeschaltet wird, zieht der Pin alles auf GND (da sind noch Schutzdioden gegen VCC und GND).

Also brauchst du noch einen zusätzlichen NPN-Transistor.

Als Transistoren eignen sich normale BC546 und BC556, da geht praktisch jeder Kleinleistungs-Transistor.

Wie ich schon schrub, solltest du beim PNP (High-Side) E und C vertauschen!
Die kleinere Sättigungsspannung <20mV anstatt 200mV und die schlechtere Verstärkung ergeben sich aus der Geometrie des Transistors. Bei den ganz alten Transistoren (Alloy und Spitzen) hat das nicht gut funktioniert, weil bei diesen Emitter und Collector relativ symmetrisch aufgebaut sind.
Bei den heutigen Planartransistoren ist das anders. Der Emitter liegt im der Mitte, darum herum bildet die Basis einen Ring und ganz aussen ist dann der Collector-Ring.
https://upload.wikimedia.org/wikiped...ection.svg.png
https://videogamehistorian.files.wor...0/1959_1_2.jpg

Hier noch der Aufbau eines Alloy-Transistors:
http://www.learnabout-electronics.or...transistor.gif
Da erkennt man auch wie die Basis zu ihrem Namen kam.


MfG Peter(TOO)