[QUOTE=i_make_it;629846Bei den Strukturbreiten moderner ICs wird Dir vermutlich die Diffusion von Atomen in den NP Übergängen in unter 10 Jahren Funktionsstörungen verursachen.
Das fängt damit an das sich Arbeitspunkte verschieben und endet damit das komplette Halbleiter ausfallen.[/QUOTE]
Das grösste Problem sind heute FLASH-Speicher.
Für den verwendeten Tunneleffekt benötigt man recht hohe Feldstärken, welche dann die Atome in die Isolation wandern lassen.
Die alten EPROMs konnten deshalb etwa 100x programmiert werden.
EEPROMs kamen dann auf 10'000x.
Heutige FLASH-Speicher liegen bei 100'000 bis zu 1'000'000 Zyklen.
Und die ersten dynamischen 64KBit RAMs wurden schon im Lager defekt.
Das Problem war die mechanische Vorspannung der Alu-Leiterbahnen. Diese sind dann schon beim Lagern gerissen. Das Problem existierte eigentlich schon bei den 16KBit RAMs, aber da waren die Bahnen noch breiter und rissen deshalb nicht, sondern verjüngten sich nur etwas. Mit entsprechen angepasster Wärmebehandlung lies sich das Problem dann beheben.
Bei Kondensatoren mit festem Dielektrikum ist auch die Feldstärke das Problem, je kleiner die Bauform umso mehr leiden sie unter Spannung.
Bei Elkos mit Nass-Elektrolyt ist vor allem das Austrocknen das Problem und zwar unabhängig davon ob sie unter Spannung stehen oder nicht. Meist kommt man nur auf eine maximale Lebensdauer von 10-20 Jahren.
Das ist auch das Problem, wenn man Daten für die Nachwelt einlagern will. Aktuell gibt es nach so 10-20 Jahren schon keine Laufwerke mehr um die Medien zu lesen.
Die Idee z.B. DVDs zusammen mit einem Laufwerk einzulagern funktioniert auch nicht wirklich, schon nach einigen Jahrzehnten funktioniert die Elektronik des Laufwerks nicht mehr
Selbst die modernsten Langzeitarchive basieren darauf, dass man die Daten mit Hilfe einer Lupe lesen kann.
MfG Peter(TOO)
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Zitat von Modellbauer
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