Der Schaltplan ist wohl noch etwas optimierungsbedürftig. Die beiden Zweige sind im Layout symmetrisch, im Schaltplan aber unterschiedlich, vermutlich ein Zeichenfehler. Verglichen mit dem Layout ist es im Schaltplan wohl der obere Zweig. Wenn das so ist, fliesst der Strom jetzt über den Schalter, nicht über den MOSFET (das kann man so machen, aber der Schalter wird es evt. nicht lange machen wollen, wenn die Ströme höher sind). Zweck des eingebauten Bipolartransistors ist unklar, es gilt aber im allgemeinen als unschicklich, den Emitter eines NPN mit dem positivsten Punkt der Schaltung zu verbinden, ein Überschreitung der maximalen Emitter-Basis Spannung ist sehr wahrscheinlich. Doppeldiode dient als Verpolschutz? Dafür sollte eine Einfachdiode auch genügen.
Im Anhang ein Schaltplanentwurf zur allgemeinen Diskussion. Was noch fehlt: Verpolschutz, falls nötig und Schutz des MOSFET vor ESD.
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