Hallo,
Zitat Zitat von demmy Beitrag anzeigen
Im Datenblatt ist ja für den BC547 unter Electrical Characteristics folgendes angegeben:
Base-Emitter-Saturation Voltage = Vbe = 700mV bei Bedingungen Ib=0,5mA und Ic = 10mA
Über dieser Spalte steht aber auch Typisch und es gilt nur bei 25°C.
Hinzu kommt noch, dass bei diesem Wert der Transistor in der Sättigung ist, also genau an der Grenze zur Übersteuerung.
Darunter steht der Wert, wann der Transistor schaltet und da liegt der Wert zwischen 580mV und 700mV.

Nun ist ein Transistor aber eigentlich ein Stromverstärker.
Wenn wir jetzt 1V als Schaltschwelle für den I/O-Pin nehmen, einen Kollektorwiderstand von 1k und Vcc = 5V nehmen.
(5V-1V)/1k = 4mA (Ic)
Das Hfe liegt nun aber zwischen 110 und 800.
Eine 0 am Pin ergibt sich also zwischen Ib = 4mA/110 = 36µA und Ib = 4mA/800 = 5µA

Etwas einschränken kannst du das Hfe, indem du klassifizierte Typen (A, B oder C) nimmst. Aber ein Faktor 2 bleibt auch dann noch.

Diese Angaben sind jetzt alle für 25°C, die Temperatur ist dabei nicht berücksichtigt.

Hier: https://www.fairchildsemi.com/datasheets/2N/2N3904.pdf
Kannst du für einen ähnlichen Transistor (Auf Seite 4) den Einfluss der Temperatur in den Diagrammen sehen.

Dein Experiment gilt für das von dir verwendete Exemplar.
Meistens sind sich Exemplare aus dem selben Wafer recht ähnlich oder es gibt systematische Unterschiede zwischen Zentrum und Randlage.
Bei unterschiedlichen Chargen ist dann die Streuung am grössten, Erst recht bei verschiedenen Herstellern.

Für Worst Case gilt aber immer das Datenblatt, dazu muss man es aber auch richtig lesen können.

Anmerkung: Manche Parameter werden mit Impulsen gemessen. Dabei verhindert man, dass sich der Prüfling durch die Verlustleistung erwärmt und nicht mehr bei 25°C gemessen wird.

MfG Peter(TOO)