Hallo,
Nein, Ge- und Si-Dioden funktionieren im Prinzip gleich.
ES aber gute Gründe, wieso Ge als Halbleitermaterial für normale Dioden und Transistoren verschwunden ist.
Am Anfang musste man Ge nehmen, weil die Technologien für die Bearbeitung von Si einfach fehlten. Zudem wollte man eigentlich Feldeffekt-Transistoren entwickeln und hat debei, bei Messungen, den Transistoreffekt entdeckt.
Zwei Probleme sind die höheren Leckströme und die grössere Temperaturabhängigkeit der Parameter bei Ge bezogen auf Si.
Ein Vorteil von Ge war die geringere Schwellspannung (Ge 0.2-0.3V, Si 0.6-0.7V), weshalb Ge im Leistungsbereich noch eine Weile angewendet wurde (Mit Ge hat man etwa die halbe Verlustleistung.
Aber Schottky-Dioden und MOS-FETs sind da heute meistens besser als Ge.
Generell hilft ein Blick ins Datenblatt.
Die Vorwärtsspannung ist immer auch bei einem bestimmten Strom angegeben. Bei deiner 100mA Signaldiode werden dies so 10mA oder 20mA sein.
DU brauchst da also noch einen 10k Widerstand.
MfG Peter(TOO)
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