Mosfet ohne Bodydiode

[Peter(TOO)]

Hallo,

Ganz normal:

Auch schon mal in Real getestet?

Das Problem ist, dass immer einer der FETs im III Quadranten betrieben wird und dazu gibt es keine Angaben im Datenblatt!
Möglicherweise verwendet deine Simulation einfach die Parameter aus dem I Quadranten.
Das Problem ist, dass ein FET aber keine nicht unbedingt eine symmetrische Geometrie, bezogen auf S und D hat.
Desweiteren ist nicht bei allen FETs die Gate-Schutzschaltung symmetrisch.

Mit FETs habe ich keine praktischen Erfahrungen, aber mit bipolaren Transistoren.
Wenn man E und C vertauscht, sinkt die Sättigungsspannung auf 10-20mV, aber die Verstärkung wird auch um den Faktor 10 kleiner.
Allerdings funktioniert dies nur mit Planar (Mesa) Transistoren, da hier C und E geometrisch sehr unterschiedlich sind.
Mit Alloy- und Spitzentransistoren-Transistoren geht es nicht, diese sind symmetrisch aufgebaut.

OK, heute gibt es praktisch nur noch die Planar-Transistoren.

Mit Bipolar-Transistoren kann man auch sehr genaue Stromteiler machen, indem man den Collector-Ring in z.B. 2 Segmente unterteilt. Das Stromverhältnis der beiden Collector-Ströme entspricht dann der Geometrie (Ist in vielen ICs zu finden). Manchmal wäre es praktisch, wenn man solche Transistoren auch als Einzelbauteil bekäme

MfG Peter(TOO)