Hallo Achim,
Zitat Zitat von seite5 Beitrag anzeigen
Aufpassen, dass der High side etwas verzögert (einige 100ns) öffnet ("Shot through").
Man muss bei beiden Schaltvorgängen eine Totzeit einplanen!
Andernfalls sind kurzzeitig beide Transistoren leitend, was zu einem Kurzschluss, mehr Verlustleistung und schlechtem Wirkungsgrad führt.

Grundsätzlich gibt es bei Transistoren Verzögerungszeiten zwischen dem Ansteuersignal und dem Zeitpunkt bis der Transistor sperrt/leitet.
Die Zeiten sind zudem noch vom Hauptstrom abhängig und je nach Schaltrichtung unterschiedlich.

Besonders bei FETs liegt es zu einem grossen Teil an den parasitären Kapazitäten, somit hat auch der Innenwiderstand des Gate-Treibers einen wesentlichen Einfluss.
Allerdings sollte man einen FET auch nicht zu niederohmig ansteuern. Dies führt einerseits zu sehr hohen Impulsströmen im Gate, was wiederum, vor allem im Treiber, Verluste erzeugt und andererseits mehr Oberwellen erzeugt, was einerseits mehr EMV-Probleme macht und andererseits zum Überschwingen führt. Hier kann dann schon ein Stück Draht als Schwingkreis agieren und die Überschwinger können dann den Transistor durch Überspannung zerstören.

MfG Peter(TOO)