Der Wert nC. nC steht für Nano Coloumb. Das ist die Ladung die auf dein Gate bei einer bestimmten Spannung fließen kann. (Aus dem Physikunterricht: C = Q/U) Ein Mosfet funktioniert dadurch, dass du mit der auf dem Gate gespeicherten Ladung einen p bzw. n dotierten Kanal (Daher der Name n bzw p-Kanal Fet) zwischen Drain und Source je nach Typ sperrst oder öffnest.
(Wird hier bei Funktionsweise recht gut erklärt https://de.wikipedia.org/wiki/Metall...fekttransistor) Q_G gibt nun an wie viel Ladung auf das Gate aufbringen kannst.
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/AND9083-D.PDF
Ein größerer Mosfet (sprich mehr Strom/ Höhere Spannung) hat auch eine entsprechend größere Siliziumfläche -> Man braucht mehr Ladung im Gate für den Kanal.
Um zu schalten musst die die Ladung vom Gate entsprechend schnell entfernen bzw. wieder aufbringen. Wenn du das nicht hinbekommst betreibst du den Fet zu lange im Ohmschen Bereich -> wird heiß.
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