Hallo!
Bin zwar Analogtyp, aber ohne detailierten Schaltplan deiner Schaltung kann ich nix sagen.
Hallo!
Bin zwar Analogtyp, aber ohne detailierten Schaltplan deiner Schaltung kann ich nix sagen.
Geändert von PICture (05.05.2015 um 08:40 Uhr)
MfG (Mit feinem Grübeln) Wir unterstützen dich bei deinen Projekten, aber wir entwickeln sie nicht für dich. (radbruch) "Irgendwas" geht "irgendwie" immer...(Rabenauge) Machs - und berichte.(oberallgeier) Man weißt wie, aber nie warum. Gut zu wissen, was man nicht weiß. Zuerst messen, danach fragen. Was heute geht, wurde gestern gebastelt. http://www.youtube.com/watch?v=qOAnVO3y2u8 Danke!
Dann schaue dir doch einfach die schaltung an, sie ist 1 zu 1 aufgebaut.
http://cds.linear.com/image/3992.png
Als Mosfet habe ich den IRLZ 44NS genommen. (LogigLevel)
der IRLZ44 hat eine Gate Ladung von 66nC, die bei 200kHz umgeladen werden muss. Wenn der Treiber zu schwach ist, dann kann der FET keine steilen Flanken schalten und setzt dort Wärme um. An Sense wird der Regler feststellen, wenn der Strom überschritten wird, wenn z.B. die Spule in Sättigung geht. Fehlt der Sense-Widerstand, geht diese Info verloren, was auch einen heißen FET erklären würde.
10µH finde ich recht klein, hier würde ich aus dem Bauch heraus (bei "nur" 2 A) eher ab 22µH ansetzen.
Bei einem 200kHz Wandler ist die Leiterbahnführung auch nicht ohne. Wenn du dein Layout zeigst, kann man da vielleicht noch die eine oder andere Ursache finden.
Gruß, Michael
Guten morgen Michael, das hast du SUPER erklärt,
Meine Frage, zu den 66nC, siehst du das in der pdf Datei unter Qg = Total Gate Charge 48?,
oder im Diagram, da blicke ich noch nicht ganz durch.
Heute bekomme ich IRL3803 so wie auch in einer Grundschaltung in der pdf Datei des LTC1624, nur wenn ich mir den anschaue hat der bei 10 Volt 175 nC
Also der wert nC da blicke ich noch nicht ganz durch, wäre nett wenn du noch etwas dazu schreiben könntest.
mfg malec
Der Wert nC. nC steht für Nano Coloumb. Das ist die Ladung die auf dein Gate bei einer bestimmten Spannung fließen kann. (Aus dem Physikunterricht: C = Q/U) Ein Mosfet funktioniert dadurch, dass du mit der auf dem Gate gespeicherten Ladung einen p bzw. n dotierten Kanal (Daher der Name n bzw p-Kanal Fet) zwischen Drain und Source je nach Typ sperrst oder öffnest.
(Wird hier bei Funktionsweise recht gut erklärt https://de.wikipedia.org/wiki/Metall...fekttransistor) Q_G gibt nun an wie viel Ladung auf das Gate aufbringen kannst.
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/AND9083-D.PDF
Ein größerer Mosfet (sprich mehr Strom/ Höhere Spannung) hat auch eine entsprechend größere Siliziumfläche -> Man braucht mehr Ladung im Gate für den Kanal.
Um zu schalten musst die die Ladung vom Gate entsprechend schnell entfernen bzw. wieder aufbringen. Wenn du das nicht hinbekommst betreibst du den Fet zu lange im Ohmschen Bereich -> wird heiß.
Hallo, das habe ich verstanden, werde mir naher auch genauer die Links von dir durch lesen.
ich habe mir mal ein ganz billiges Oszi zugelegt um zu sehen was am Gate passiert, das USB-Oszi 20Mhz ist nicht die Welt, um Gottes willen.
aber für meine zwecke sollte es reichen.
Ich versuche mal zwei Bilder hier rein zu bekommen.
Da ich 2 mal ver. Mosfets eingelötet habe und das Gate abgetastet habe.
Ein Bild zeigt Gate IRLU8721 und das andere Gate IRL3803
Bist du dir da sicher?Ein Bild zeigt Gate IRLU8721 und das andere Gate IRL3803
Das Gate sollte eigentlich klar die Rechteck-Impulse des Treibers zeigen.
Oder hast du GND des Oszis nicht an GND der Schaltung gehabt? (das würde evtl. die Kurven erklären (Source ist nicht GND))
Gruß, Michael
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