Passenden MosFet auswählen

[redround]

ich seh schon, dass wir uns bei der Begründung nicht einig werden ... Hauptsache wir sind alle der Meinung, dass ein Widerstand zwischen Gate und Source Sinn macht und dass eine Größe von 10 bis 100 kOhm Sinn macht (egal, ob er nun Pull-Down oder Gate-Ableit-Widerstand heißt ) ... so wie dass ein Widerstand vor dem Gate zumindest die EMV-Emision verringert. Als Begründung darf dann jeder seine Meinung heran ziehen

PS: ich selbst nutze statt des BUZ übrigens auch lieber IRLZ als Logiklevel und IRFZ bei höheren Gate-Source-Spannungen. Der BUZ ist wenn ich mich nicht irre übrigens kein Logik-Level MOSFET sondern braucht eine Gate-Source Spannung von 10 Volt um in Sättigung zu gehen. Ist für eine direkte Ansteuerung durch den Controller also eher ungeeignet. Aber das ist unter vorbehalt, da ich das Datenblatt jetzt nicht auswendig kenne