Zitat Zitat von Cysign Beitrag anzeigen
Oh, ich hab mich vertan. Zwischen µC und Gate habe ich 500Ohm. Zwischen Gate und Gnd habe ich 32KOhm. Da muss ich wohl in Gedanken die Werte vertauscht haben...gut, dass ich nochmal nachgemessen hab
Ein Widerstand zwischen Gate und Source ist nicht zum Entladen des Gates im Betrieb. Er hat nur die Funktion, das Gate auf 0V zu halten, wenn der FET garnicht gesteuert wird. Wenn der Fet direkt an einem µC hängt, tritt der Fall auf, wenn der µC-Pin Input ist, z.B. bei und nach einem Reset. Da sind 32k oder auch 100k ganz ok.

Der Widerstand zwischen Gate und Ansteuerung dient zum zum Unterdrücken von etwaigen hochfrequenten Schwingungen wenn der FET sehr schnell schaltet. Die Werte liegen so bei 20 Ohm oder weniger. Bei einer vergleichsweise schwachen Ansteuerung wie einem Logic-Ausgang würde ich in 0 Ohm machen.

MfG Klebwax