Diode parallel zur Mosfet Bodydiode

[markusj]

Theoretisch bräuchte ich also eine sehr schnelle Diode mit möglichst wenig Spannungsabfall.
Entscheidend ist aber die Schnelligkeit, damit sie die induktiven Rückspannungen killt.

Das wären dann sogenannte Fast oder Ultra Fast Recovery Dioden die man dafür verwendet ?
Geht es dabei um die "reverse recovery time"

Richtig. Die von PICture angesprochenen Schottkys sind da in der Regel ganz gute Kandidaten, sie vereinen beide Eigenschaften zum Preis eines erhöhten Leckstroms.

mfG
Markus

[Siro]

Super, dann danke ich Euch und habe wieder etwas dazugelernt.

Siro

[Peter(TOO)]

Hallo Siro,

Fazit:
Je nach Anwendung und FET-Typ kann die Bodydiode alleine als Schutz ausreichen.
In den anderen Fällen benötigt man eine externe Diode.

Da eine Gesperrte Diode aber auch eine Kapazität ist, ist es auch nicht in jedem Fall sinnvoll eine externe Diode zu verwenden.
Zudem hat jede Diode auch noch ihre Leckströme.

Wie bei jeder Konstruktion geht es auch bei dieser Frage darum, den richtigen Kompromiss für den Einzelfall zu finden.

MfG Peter(TOO)