Hallo,
Das scheinst du nicht ganz richtig verstanden zu haben.
Ugs ist eine Konstante des FETs.
Da brauchst du z.B. 10V, damit der sauber durchschaltet.
Diese 10V, müssen zwischen Gate und Source anliegen.
Wenn jetzt dein FET einschaltet liegt der Sourceanschluss z.B. auf 17.5V.
Ugs ist immer noch 10V aber die Spannung zwischen Gate und Masse beträgt jetzt 17.5V + 10V = 27.5V
Alles ist relativ!
MfG Peter(TOO)
Manchmal frage ich mich, wieso meine Generation Geräte ohne Simulation entwickeln konnte?
Der nötige Spannungshub beträgt hier dann 27.5V, damit mein FET sauber/schnell durchschalten und sperren kann. Oder? Dann ist mein Treiber IC IR2101 für mein FET nicht geeignet. Richtig?Zitat von Peter(TOO)
Hallo,
Nein der Hub wäre in meinem Beispiel nur 10V.
Ugs ist die Spannung zwischen Gate und Source, dabei ist es egal auf welchem Potential der Source Anschluss liegt
Der IR2101 ist schon recht, der macht die höhere Spannung ja selbst.
Hie gibt's noch Hilfe um den Kondensator für den IR2101 zu dimensionieren.
MfG Peter(TOO)
Manchmal frage ich mich, wieso meine Generation Geräte ohne Simulation entwickeln konnte?
Soweit habe ich verstanden, auch UGS. Ich habe mir das Datenblatt von IR2101 genauer angequckt. Der passt mit meinem FET und meine Anwendung doch ganz gut zusammen. Am Gate und Masse liegt der Treiber eine Spannung von Vs+Vcc an. (High Side). Dann schalten mein FET auch sehr sauber. Oder?
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