Für mich gibt es bei Halbleiter nur Hitzetod, dass als Produkt von RMS Spannung und Strom entsteht. Bei Leistungselektronik die meiste Ursache ist Betrieb ausser früher erwähnter SOA ("safe operating area"). Für Wärmeabfuhr beim Einschalten ist Wärmekapazität, also große Masse, des Kühlkörpers sehr wichtig, da sie so schnell nicht abgeführt werden kann und muss Anfangs im Kühlkörper "gepuffert" werden.
Ausserdem wichtig ist sehr schnelle Übertragung der Wärme vom Halbleiter in den Kühlkörper. Möglicherweise helfen zwei "dicke" kühlkörper aus Kupfer auf beiden Seiten des FET-Gehäuses.
Sonst könnte man versuchen die entstandene Wärme auf mehr parallelen Transistoren mit ausgleichenden Sourcewiderständen und gleichen Kühlkörper zu verteilen.
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