Das "Gate Threshold Voltage" also die Schwellenspannung streut im Bereich 1,65-2,55 V, d.H. mit 3,3V bist du sicher über der Schwellenspannung drüber, der Transistor verträgt bis zu max. U_GS 20V
Das "Gate Threshold Voltage" also die Schwellenspannung streut im Bereich 1,65-2,55 V, d.H. mit 3,3V bist du sicher über der Schwellenspannung drüber, der Transistor verträgt bis zu max. U_GS 20V
Bei den Transistoren, die ich momentan hier habe, macht mir die Emitter-Base-Spannung einen Strich durch die Rechnung. Hier darf der Spannung bei meinen Transistoren hier (BC547, BC338...) max. 5V betragen. Ich hab grade mal einige Datenblätter verschiedener Bipolartransistoren und Darlingtons überflogen, aber bis auf zwei Ausnahmen (Dralingtons mit UEB 7V bzw. 10V) hab ich da nichts gefunden, was passen könnte...
Der Strom pro Transistor wird unter 200mA bleiben, Tendenz 100mA, zur Sicherheit sollte er aber lieber 150mA vertragen
@Witkarz: Das könnte ich doch mit einem Spannungsteiler regeln, oder stellt das ein Problem dar?
du brauchst keinen Spannungsteiler -> direkt mit 3,3V schalten, einen Pulldown Widerstand zur Masse solltest du aber schon vorsehen, falls dein GPIO hochohmig wird-> dann du willst ja auch ausschalten
Geändert von witkatz (01.04.2014 um 13:21 Uhr)
Okay, das machts natürlich einfacher. Hast du zufällig nen Link zur Berechnung des Pulldowns parrat? Ansonsten such ich mir da gleich schnell raus, was ich brauchen könnte...
Aber mein Hauptproblem ist immer noch die Auswahl des richtigen Transistors. Also könnte ich nun den von mir rausgepickten nutzen. Oder empfiehlst du mir einen anderen, evtl. günstigeren Kandidaten?
Solange du kein PWM machst ist der Pull-Down Widerstand für MOSFET nicht kritisch.
Günstiger ist der Kleinleistungstransistor BC338, aber dann muss dein GPIO einen Basisstrom von 10-20 mA treiben um 200mA zu schalten. Könntest evtl. auch mit BC547+BC338 eine Darlington-Schaltung aufbauen. Oder gleich ein Darlington-Array wie ULN2003A verwenden, ist immer noch günstiger als der MOSFET und hat mehrere Kanäle.
Geändert von witkatz (01.04.2014 um 14:03 Uhr)
Hallo,
Das ist jetzt aber sehr konservativ gerechnetZitat von witkatz
Bei 100mA liegt das Hfe zwischen 100 und 630, bei 300mA >60.
Jetzt gibt es aber unterschiedliche BC338.
-16 Hfe 100-250 @100mA, >60 @300mA
-25 Hfe 160-400 @100mA, >100 @300mA
-40 Hfe 250-620 @100mA, >170 @300mA
MfG Peter(TOO)
Manchmal frage ich mich, wieso meine Generation Geräte ohne Simulation entwickeln konnte?
Ja sorry, ich hatte die Tabelle von BD241 auf... ich nehme alles bis auf 3mA zurück...
Hallo,
Du hast da einen grundlegenden Denkfehler !Bei den Transistoren, die ich momentan hier habe, macht mir die Emitter-Base-Spannung einen Strich durch die Rechnung. Hier darf der Spannung bei meinen Transistoren hier (BC547, BC338...) max. 5V betragen. Ich hab grade mal einige Datenblätter verschiedener Bipolartransistoren und Darlingtons überflogen, aber bis auf zwei Ausnahmen (Dralingtons mit UEB 7V bzw. 10V) hab ich da nichts gefunden, was passen könnte...
Der Strom pro Transistor wird unter 200mA bleiben, Tendenz 100mA, zur Sicherheit sollte er aber lieber 150mA vertragen
Ueb = 5V ist die maximale Spannung in Sperrrichtung!
Manche Hersteller geben Ube an, dann wird der Spannungswert negativ.
Ube ist viel kleiner und setzt sich zusammen aus der Schleusenspannung ( ca. 0.7V bei Si) und dem Spannungsabfall an Rbe.
Der zusätzliche Basiswiderstand erzeugt einen Spannungsabfall, sodass auch bei 5V am Widerstand die Basisispannung nicht über etwa 1V ansteigt.
http://www.elektronik-kompendium.de/...au/1506161.htm
Je nach Hersteller wird der BC547 auch mit 150mA angegeben.
der BC338 hat mit 150mA garantiert keine Probleme.
Auf alle Fälle hatte ich die letzten 40 Jahre nie Probleme einen BC547 auch mit 5V (TTL) anzusteuern
MfG Peter(TOO)
Manchmal frage ich mich, wieso meine Generation Geräte ohne Simulation entwickeln konnte?
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