Der MOSFET wird so im Datenblatt des VNH3SP30 so empfohlen. Die Alternative wäre eine Schottky-Diode in der Zuleitung. Aber da gibt's halt mehr Spannungsabfall und eine Diode, die ein paar Ampere verträgt, habe ich jetzt auch nicht gefunden.
Die Sache mir den C7 / C10 ist klar.
Das mit dem MOSFET im Datenblatt kenne ich, aber da ist der MOSFET mit Drain/Source getauscht. Auch dann ist das nur eine halbherzige Sache, etwa weil man dann die extra Widerstände zum µC braucht. Ein guter Schutz wäre ein P-MOSFET auf der +24 V Seite - ist größer und teurer, aber auch besser, weil dann GND durchgeht.
Auch wenn es nicht im Datenblatt ist, wäre ein Platz für einen Kondensator an der Versorgung des Treibers auch nicht schlecht.
Die LED am Ausgang könnte Probleme bekommen mit der Spannungsfestigkeit in Sperrichtung, falls das keine 2 farbige ist.
Die Kühlfläche für den Shunt und den MOSFET sollte vielleicht auch noch etwas größer,wenn es irgendwie passt.
So, vielen Dank mal soweit.
Ich habe jetzt einen P-MOSFET eingebaut, ist im Schaltplan rot eingekastelt. Der FET sollte durchschalten, wenn es 5V gibt, oder? Die Schaltung wird so mit 17-20 V betrieben, die V_GS sollte also ~ -9V betragen.
Die LED ist eine DUO-Led, da gibts keine Probleme.
Der P-MOSFET ist wie der N-MOSFET zuvor noch falsch herum drin: Source gehört zur Schaltung und Drain zum Eingang. Das ist nun mal so, dass als Verpolungschutz die MOSFETs anders herum als normal genutzt werden. Halt so, dass Anfangs die Interne Diode leitet.
Die Elkos sind besser hinter dem MOSFET - so sind die Elkos auch geschützt und können Pulsströme direkt liefern. Ob die Elkos jetzt direkt parallel zum IC, oder gegen GND liegen sollten, darüber könnte man ggf. noch streiten. Einmal 100 nF oder so am Treiber IC wären aber sicher nicht verkehrt.
Den Transistor zu den 5 V braucht man nicht - es geht so, aber es sollte auch klein Problem sein wenn die 24 V am Treiber anliegen obwohl die 5 V nicht da sind. Da sollten schon die DIAG Pins dafür sorgen, das dann die Ausgänge hochohmig geschaltet werden.
Beim OP sollte man besser gleich einen 1-fach OP wählen und besser auch etwas langsamer, etwa ein MCP6051. Einen ungenutzten Kanal des 2 Fach OP müsste man sonst noch einen definierten Eingang geben. Etwa als Impedanzwander mit Eingang an GND, oder hart in die Sättigung Treiben wenn der OP das verträgt.
So, habe die Sache nochmal überarbeitet:
- Die Elkos und ein 100n Kerko hängen jetzt direkt parallel zur H-Brücke.
- Ich habe den MOSFET durch die Schottky-Diode B560C ersetzt. Wenn man sich nicht nur auf Reichelt beschränkt, findet man ja durchaus was passendes. Irgendwie schein die MOSFET-Lösung ja nicht das allerbeste zu sein...
- Kann man die Beschaltung des OP noch verbessern? Vor allem die R23/C4 Sache "gefällt" mir als Filter irgendwie nicht so ganz.
Der Verpolungsschutz mit MOSFET ist schon nicht schlecht, und hat eher weniger Spannungsverlust (und damit Verlustwärme) als mit Shottkydiode - nur geht halt ein N-MOSFET nur an der negativen Seite und so im Plan im Datenblatt auf der neg. Seite (zwischen GND und dem IC) ist das halt nur eine halbe Lösung - mit Diode wird es da auch nicht besser.
Die Filterung mit R23 C4 ist schon gut so. Es könnte eventuell aber hilfreich sein noch zusätzlich eine Filterung vor dem OP oder in der Verstärkerstufe zu haben. In der Stufe wäre es mit Kondensatoren parallel zu R7 und R8 (sollten schon beide sein wenn die Gleichtaktunterdrückung voll erhalten werden soll). Davor wären es möglich mit Aufteilen von R3 und R5 und dann zwischen den Widerständen oder jeweils nach GND.
Na gut, ich seh's ein, mit dem P-MOSFET ("verkehr herum") ist es wohl doch am besten. Aber wo schließe ich das Gate an? Ich raff das irgendwie nicht
Mir ist aufgefallen, dass die Beschaltung des OP ja viel einfacher geht, weil man ohne MOSFET zwischen Shunt und GND den OP ja als ganz normalen nichtinvertierenden Verstärker schalten kann. Und an den Eingang einfach das RC-Glied gegen GND. Brauchts dann zusätzlich das RC-Glied am Ausgang auch noch?
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