Bei Thyristoren hast Du immer mindestens 0,7V Verlust, und sie schalten erst im Nulldurchgang wieder ab.

Mosfet sind im durchgeschalteten Zustand wirklich niederohmig. Aber hier hat man meist Probleme mit der
Spannungsfestigkeit.
IGBT sind wenn mans mal ganz einfach zu erklären versucht riesige bipolare Transistoren die per Mosfet
geschaltet werden. Also so richtig grobe Teile die sowohl hohe Spannungen als auch hohe Ströme schalten
können. Hier hat man aber wieder den Spannungsabfall wie bei bipolaren Transistoren.

Wenn also bei relativ geringen Spannungen hohe Ströme zu schalten sind (bis etwa 150V und 500A)
wird eine Schaltung mit Mosfet den besten Wirkungsgrad haben, aber je höher die Spannung ist,
um so sinnvoller sind IGBT einzusetzen. Die hohen Ströme zu denen IGBT fähig sind ergeben sich
vor allem aus der gewaltigen Dimensionierung mancher dieser Bauteile, aber die Verlustleistung
ist teilweise gewaltig. .....solange es nichts besseres gibt muss man das nehmen was verfügbar ist.