Zitat Zitat von JonnyBischof Beitrag anzeigen
Wenn du viel Strom durch den Treiber fliessen lassen willst, dann solltest du es vermeiden, P-Kanal FETs einzubauen. Diese haben tendenziell immer einen etwas höheren RDSON (Widerstand im Drain-Source Pfad), was zu höheren Verlusten führt.
Die Bedeutung dieses "etwas" bei modernen FETs wird massiv überschätzt. Es geht da um einige mOhm. Die heutigen P-FETs sind besser, als die einige Jahre ältern N-FETs (die auch gerne empfohlen werden, weil ja N-FETs immer besser als P-FETs sind). Probleme mit überhitzten FETs sind eigentlich immer auf Fehler in der Ansteuerung zurückzuführen. Wenn du mit viel Strom 50A und mehr Dauerstrom meinst, mag das stimmen. Dann sind aber auch nicht 12V angesagt (wegen der Verluste in all den passiven Elementen) sondern eher 24V oder 48V, was dann wiederum mit einer Halbierung oder Viertellung des Stromes einhergeht.

Zitat Zitat von JonnyBischof Beitrag anzeigen
Das Prinzip, wie man einen N-Kanal MosFET auch in deinem Fall schalten kann, wurde bereits erwähnt: Bootstrapping. Hab es allerdings selbst nie im Detail angeschaut bzw. verwendet.
Das ist nur eine Möglichkeit von mehreren, zwar die bauteilmäßig billigste aber vom Timing her anspruchsvollste. Neben dem richtigen Schaltungsentwurf ist das Timing bei einer (Halb)Brücke das A und O. Bootstrapping lebt vom Timing, die Software der Ansteuerung sollte also fehlerfrei sein, oder extra Hardware fängt die Fehlerfälle ab.

Die unkomplizierteste Ansteuerung hier wäre ein FET-Treiber für eine Halbbrücke mit getrenntem Eingang für Low- und Highside zusammen mit einem N-FET und einem P-FET. Zusammen mit passenden Pull-Ups und Pull-Downs (und möglicherweise etwas zusätzlicher Logik) kann man auch sicherstellen, daß bei Reset, Programmabsturz oder Breakpoint kein Schaden entsteht.

MfG Klebwax