Grundsätzlich finde ich PICture's Ansatz recht interessant, weil er meist vernachlässigte Transistorparameter in die Schaltung einbezieht ! Das wird unter Laborbedingungen, insbesondere stabiler Umgebungstemperatur, auch funktionieren.

Problematisch an der von ihm vorgeschlagenen Schaltung ist m.E die starke Sensibilität auf Exemplartoleranzen, Temperaturabhängigkeit der hFE, V_CE-Abhängigkeit der hFE und der Typ-spezifische I_B_max des nachgeordneten Transistors. Vorteilhaft dagegen ist die gute Sättigung des Laststrom-tragenden Transistors, die besser ist als beim Darlington. Soweit die Bündelung der bereits genannten Aspekte.

Ich deute PICture's Ansatz als eine analoge Herangehensweise, die -wie so oft- komplexer zu behandeln ist als der digitale Ansatz Schalttransistor bzw. Darlington.