LED-Kette und Transistoren

[MagicWSmoke]

Wenn du den Darlington diskret aufbauen werdest, dann würde ich skizzierte Schaltung empfehlen, da der T1 wegen höherer Kollektor-Emitter Spannung grössere Stromverstärkung hat.

Ja, soviel bis zum Durchlegieren...

               VCC
                +
                |
              +-+-+
              |   |
              |  .-.
              |  | |R
              |  | |Last
              |  '-'
           C1 |   | C2
              o   o
          .---|---|-.
          |   |   | |
          | |/    | |
      B o---| T1  | |
          | |>    | |
          |   | |/  |
          |   +-| T2|
          |     |>  |
          |       | |
          '-------|-'
                  |
                  o

                  E

(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05 www.tech-chat.de)

Denk nochmal drüber nach, wenn T1 leitet, liefert der (solange er kann) beliebig viel Strom in die Basis von T2.
Bei der richtigen NPN Darlington-Schaltung sind die Kollektoren schon aus gutem Grund miteinander verbunden.

[PICture]

Der Emitterstrom vom T1 ist nicht beliebig, sondern per Basiswiderstand festgelegt: Ic1 = ß * Ib1. Man darf nur den max. Basistrom vom T2 nicht überschreiten (für BC635 max. 200 mA).

[Moritz Grosch]

irgendwie hab ich jetzt 2 kaputte Transistoren :/

[MagicWSmoke]

Der Emitterstrom vom T1 ist nicht beliebig, sondern per Basiswiderstand festgelegt: Ic1 = ß * Ib1.

Du lenkst vom Thema ab. Bei Deinem Vorschlag fließt der Strom unkontrolliert von VCC über T1 und dann weiter über die Basis/Emitter Diode von T2 nach E, dass bei Deinem Vorschlag GND sein dürfte, da RLast nach VCC geht.
Eine Kontrolle des T1-Stroms über den Vorwiderstand und bei einer Dir nicht bekannten Stromverstärkung machen zu wollen ist abwegig und führt die einfache Funktionsweise, welche die Darlingtonschaltung nunmal hat, ad absurdum, mehr noch, sie verschenkt deren Vorteil.

Dein Vorschlag führt potentiell zur Zerstörung der Transistoren, wenn der Vorwiderstand zu niedrig oder die Stromverstärkung zu hoch ist.
Da Du diesen Aspekt nicht angesprochen hast, nehm' ich an, dass das ein undurchdachter Schnellschuss war.

Hätte auch nichts dazu geschrieben, wenn ich nicht gesehen hätte, dass Dein Ratschlag zum Rösten der Transistoren führt.

[PICture]

Dann geben alle Hersteller von Transistoren ß um sonst an ?

[MagicWSmoke]

Dann geben alle Hersteller von Transistoren ß um sonst an ?

Ich weis jetzt nicht, was Du damit sagen willst. Aber mal am Beispiel eines BC237 gesehen, geht die Stromverstärkung hFE von min 120 bis max 460.

Du propagierst hier jedoch eine Schaltung, die bei geringfügig falsch dimensionierten Vorwiderstand zur Zerstörung derselben führt, wogegen die richtige Darlingtonschaltung damit keinerlei Probleme hat.
Auf diesen Umstand weist Du den TE jedoch nicht hin und statt dass Du jetzt die Unsinnigkeit Deines Vorschlags zugibst, kommst Du mit dem Hinweis auf hFE.

Auch Deine Position als Urgestein dieses Forums sollte es Dir doch nicht unmöglich machen, einen Fehler zuzugeben.
Das Problem ist doch, die Technik verzeiht falsche Ratschläge nicht, egal wer sie gibt.

[Moritz Grosch]

und ich hab jetzt keine andere möglichkeit als andere widerstände? hab ich das richtig verstanden?
hab dann wie geschrieben schon mal 2 transistoren gegrillt :/ (naja, kosten ja nix)

[PICture]

Das Problem ist doch, die Technik verzeiht falsche Ratschläge nicht, egal wer sie gibt.

Das stimmt. Übrigens, erinnere dir, bitte, wie ein Messgerät für ß bzw. h21e funktioniert.

[MagicWSmoke]

Das stimmt. Übrigens, erinnere dir, bitte, wie ein Messgerät für ß bzw. h21e funktioniert.

Was ist h21e, hFE ?
Aber nochmal, das ist doch nicht das Problem. Du kannst T1 bei 'nem Darlington problemlos mit einem kleinen Vorwiderstand betreiben. solange Du eben den maximalen Basistrom nicht überschreitest. Bei Deiner Schaltung führt ein zu kleiner Vorwiderstand, selbst wenn er unterhalb des zulässigen Basisstroms liegt, aber dazu dass T1 über die B/E-Diode von T2 dann VCC und GND kurzschließt, damit der maximale Strom für T1 problemlos überschritten und auch noch T2 über die B/E-Strecke zerstört wird.

@Moritz:
Es gibt zwei Punkte zu beachten, einmal unter der Voraussetzung dass der Transistor voll durchschaltet, die grundsätzliche Verlustleistung, welche ist: 0,2A x 0,7V = 140mW, eigentlich nicht sehr viel.
Zweitens, der BC635 hat laut DB eine hFE von min 45, von diesem Wert musst Du bei der Berechnung ausgehen. Wenn Du also 200mA über C/E haben willst und er voll durchschalten soll, dann musst Du 200mA / 45 = 4,44mA an der Basis haben, was ein µC normalerweise auch liefern kann. Wobei bei Belastung auch die Ausgangsspannung am µC-Pin sinkt, dafür gibt's Tabellen im Datenblatt des µC's Deiner Wahl. Bei idealen Bedingungen von 5V am µC-Pin errechnet sich der Basiswiderstand zu: (5 - 0,7) / 4,44mA = 968 Ohm, also 820 Ohm. Damit wärst Du auf der sicheren Seite.
Wenn Du einen Darlington nimmst kannst Du von 45 x 45 = 2025 hFE ausgehen, damit reichen dann: 200mA / 2025 = 98,8µA, daraus ergibt sich: (5 - 1,4) / 98,8µA = 36,45kOhm, also 33kOhm oder kleiner.