Sorry, ich gebe zu, dass ich das nicht durchgerechnet habe und werde die zweite Schaltung nur für Erfahrene empfehlen, die es stufenweise mit Strommessung des Emitterstroms von T1, der natürlich nicht durchschalten soll, aufbauen würden.
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Sorry, ich gebe zu, dass ich das nicht durchgerechnet habe und werde die zweite Schaltung nur für Erfahrene empfehlen, die es stufenweise mit Strommessung des Emitterstroms von T1, der natürlich nicht durchschalten soll, aufbauen würden.
MfG (Mit feinem Grübeln) Wir unterstützen dich bei deinen Projekten, aber wir entwickeln sie nicht für dich. (radbruch) "Irgendwas" geht "irgendwie" immer...(Rabenauge) Machs - und berichte.(oberallgeier) Man weißt wie, aber nie warum. Gut zu wissen, was man nicht weiß. Zuerst messen, danach fragen. Was heute geht, wurde gestern gebastelt. http://www.youtube.com/watch?v=qOAnVO3y2u8 Danke!
Grundsätzlich finde ich PICture's Ansatz recht interessant, weil er meist vernachlässigte Transistorparameter in die Schaltung einbezieht ! Das wird unter Laborbedingungen, insbesondere stabiler Umgebungstemperatur, auch funktionieren.
Problematisch an der von ihm vorgeschlagenen Schaltung ist m.E die starke Sensibilität auf Exemplartoleranzen, Temperaturabhängigkeit der hFE, V_CE-Abhängigkeit der hFE und der Typ-spezifische I_B_max des nachgeordneten Transistors. Vorteilhaft dagegen ist die gute Sättigung des Laststrom-tragenden Transistors, die besser ist als beim Darlington. Soweit die Bündelung der bereits genannten Aspekte.
Ich deute PICture's Ansatz als eine analoge Herangehensweise, die -wie so oft- komplexer zu behandeln ist als der digitale Ansatz Schalttransistor bzw. Darlington.
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