LED-Kette und Transistoren

[PICture]

Das Problem ist doch, die Technik verzeiht falsche Ratschläge nicht, egal wer sie gibt.

Das stimmt. Übrigens, erinnere dir, bitte, wie ein Messgerät für ß bzw. h21e funktioniert.

[MagicWSmoke]

Das stimmt. Übrigens, erinnere dir, bitte, wie ein Messgerät für ß bzw. h21e funktioniert.

Was ist h21e, hFE ?
Aber nochmal, das ist doch nicht das Problem. Du kannst T1 bei 'nem Darlington problemlos mit einem kleinen Vorwiderstand betreiben. solange Du eben den maximalen Basistrom nicht überschreitest. Bei Deiner Schaltung führt ein zu kleiner Vorwiderstand, selbst wenn er unterhalb des zulässigen Basisstroms liegt, aber dazu dass T1 über die B/E-Diode von T2 dann VCC und GND kurzschließt, damit der maximale Strom für T1 problemlos überschritten und auch noch T2 über die B/E-Strecke zerstört wird.

@Moritz:
Es gibt zwei Punkte zu beachten, einmal unter der Voraussetzung dass der Transistor voll durchschaltet, die grundsätzliche Verlustleistung, welche ist: 0,2A x 0,7V = 140mW, eigentlich nicht sehr viel.
Zweitens, der BC635 hat laut DB eine hFE von min 45, von diesem Wert musst Du bei der Berechnung ausgehen. Wenn Du also 200mA über C/E haben willst und er voll durchschalten soll, dann musst Du 200mA / 45 = 4,44mA an der Basis haben, was ein µC normalerweise auch liefern kann. Wobei bei Belastung auch die Ausgangsspannung am µC-Pin sinkt, dafür gibt's Tabellen im Datenblatt des µC's Deiner Wahl. Bei idealen Bedingungen von 5V am µC-Pin errechnet sich der Basiswiderstand zu: (5 - 0,7) / 4,44mA = 968 Ohm, also 820 Ohm. Damit wärst Du auf der sicheren Seite.
Wenn Du einen Darlington nimmst kannst Du von 45 x 45 = 2025 hFE ausgehen, damit reichen dann: 200mA / 2025 = 98,8µA, daraus ergibt sich: (5 - 1,4) / 98,8µA = 36,45kOhm, also 33kOhm oder kleiner.

[PICture]

Was ist h21e, hFE ?

Ja, sorry, dass ich nicht hFE geschrieben habe. Ich weiss leider nicht mit welchen Transistoren der Moritz Grosch bastelt um etwas konkretes vorzuschlagen. Wenn er aber bloss 4k7 Widerstände hat, dann muss er als T1 einen Transistor mit kleinem hFE finden. Deine richtige Berechnung zeigt das eben deutlich an.

[Moritz Grosch]

Welche Transistoren ich verwende hab ich im ersten Beitrag geschrieben
Hab jetzt die Collectoren der Transistoren verbunden - die T2's sind auf Körptertermperatur (etwa) und heizen sich nicht weiter auf. Die T1's sind jetzt kalt.
Beim nächsten Mal nehme ich richtige Widerstände - das hier will ich aber erstmal verwendbar bekommen

Danke für eure Hilfe

Grüße,
LittleFox

PS.: Ihr 2 BC635 - es war schön euch gekannt zu haben

[MagicWSmoke]

Ja, sorry, dass ich nicht hFE geschrieben habe. Ich weiss leider nicht mit welchen Transistoren der Moritz Grosch bastelt um etwas konkretes vorzuschlagen.

Im Eingangspost schrieb Moritz von BC635, laut Datenblatt beginnt deren hFE ab 45.

Wenn er aber bloss 4k7 Widerstände hat, dann muss er als T1 einen Transistor mit kleinem hFE finden. Deine richtige Berechnung zeigt das eben deutlich an.

Nein, er muss nur die normale Darlingtonschaltung verwenden, so wie Du die in Deinem #11er Post aufgezeigt hast, dann kann er auch 4k7 als Vorwiderstand verwenden. Denn das macht dem echten Darlington nichts aus, da die Versorgung von T1 gemeinsam mit T2 über RLast geschieht. Nimm an, dass T2's C voll nach E / GND durchschaltet, dann sieht T1 nur noch 0,7V an seinem C, damit ist der Strom durch T1 begrenzt, das System reguliert und schützt sich selbst.

[PICture]

Sorry, ich gebe zu, dass ich das nicht durchgerechnet habe und werde die zweite Schaltung nur für Erfahrene empfehlen, die es stufenweise mit Strommessung des Emitterstroms von T1, der natürlich nicht durchschalten soll, aufbauen würden.

[RoboHolIC]

Grundsätzlich finde ich PICture's Ansatz recht interessant, weil er meist vernachlässigte Transistorparameter in die Schaltung einbezieht ! Das wird unter Laborbedingungen, insbesondere stabiler Umgebungstemperatur, auch funktionieren.

Problematisch an der von ihm vorgeschlagenen Schaltung ist m.E die starke Sensibilität auf Exemplartoleranzen, Temperaturabhängigkeit der hFE, V_CE-Abhängigkeit der hFE und der Typ-spezifische I_B_max des nachgeordneten Transistors. Vorteilhaft dagegen ist die gute Sättigung des Laststrom-tragenden Transistors, die besser ist als beim Darlington. Soweit die Bündelung der bereits genannten Aspekte.

Ich deute PICture's Ansatz als eine analoge Herangehensweise, die -wie so oft- komplexer zu behandeln ist als der digitale Ansatz Schalttransistor bzw. Darlington.