So viel Leistung sollten die Widerstände die Verbrauchen. Der Basis-Vorwiderstand sollte unter 1 mA bei rund 2,7 V sehen, also eher unter 2 mW - da reicht selbst so etwas wie 0201 oder kleiner. Bei einem bipolaren Transistor sind die Widerstände nach GND überflüssig, der ist auch aus, wenn die µC pins hochohmig sind.
Die beiden Widerstände für den FET sollten vielleicht 10 mA bei etwa 6 V abbekommen, das wären 60 mW. Für Größe 0805 geht das auch, 0603 wird schon knapp, wenn die Umgebung nicht ideal ist. 0,5 W Widerstände sind da wirklich übertrieben.

Der Schaltplan sieht etwas komisch aus: die Diode geht an den falschen Punkt (gehört direkt an den Kollektor), und die Widerstände sollten eher getauscht werden, oder halt 2 gleich große. So bekommen die Fets zu wenig Spannung. Wenn die Widerstände so klein sein müssen, ist der MOSFET zu groß, oder man hat es zu eilig. Es macht keinen Sinn besonders schnell zu schalten, wenn man dafür die eingesparte Leistung am FET an den Widerständen verheitzt. Gewonnen hat man damit nur mehr HF Störungen.