Hallo zusammen,

erstmal danke für die Mühe. Was ich suche, waren Berechnungsgrundlagen für die Wärmeabfuhr durch die Platine. Gefunden habe ich bis jetzt diesen ElektronikPraxis Artikel . Auch dort wird aber nicht genau erklärt wie man zu Rechnen hat. Der thermische Übergangswiderstand zur oberen Kupferlage ist natürlich sehr gering (Lötverbindung). Dann muss die Wärme jedoch durch eben Vias (hier stellt sich die Frage, wieviel man da ansetzen darf, hängt auch stark von der Wandstärke der Kupferschicht ab) und dann auf die untere Kupferlage. Der weitere Übergang zum Kühlkörper ist dann wieder einfach.
Was die aktive Kühlung betrifft - da stellt sich mir die Frage, ob es dann nicht eventuell besser wäre, die Platinenunterseite zu kühlen (mit Lüfter) da oben ja die Gehäuse sitzen und somit die der Junction to Top (15K/W) zum Tragen kommt. Alternativ lässt man oben entsprechend große Kupferflächen zur aktiven Belüftung frei stehen.

Alles in allem komme ich jedoch zu dem Schluss dass bei den heutigen Bauteilpreisen wahrscheinlich die Aufdopplung der Mosfets wohl die einfachste Lösung ist. Halber Strom bedeutet schließlich nurmehr 1/4 der Verlustleistung. Und die schafft man dann meist schon mit Junction to Ambient 35 K/W.

Grüße Alexander