RDSon .. Widerstand D-S, wenn das Ding voll durchgeschaltet ist (also das Optimum in Bezug auf wenig Verlustleistung an dem Teil); waehrend der Schaltzeit gibt's natuerlich Zeitpunkte, wo der Widerstand zwar schon klein, aber noch nicht soo klein ist, dann faellt auch mehr Spannung hier ab..)
FET-Treiber u.U. genau dazu, die Schaltzeit klein zu halten (also Gate schnell umladen mit ordentlich Strom)
Highside ist die problematischere Seite einer H-Bruecke (weil da N-Kanal-MOSFETs, die kleineren RDSon haben, nur mit Zusatz-Spannungstrick verwendet werden koennen oder P-Kanal eben mehr Verlustleistung mit sich bringen..)
Genaueres: http://modularcircuits.tantosonline....ecrets/part-1/