Wie so oft liegt die Wahrheit in der Mitte: Die Threashholdspannung gibt an wann der MOSFET anfängt zu leiten. Um einen nennenswerten Strom durchzulassen braucht man schon etwas mehr Spannung, also eher 2-3 V mehr. Hier kommt das etwa auf das doppelte raus - muss es aber nicht.
Die Spannung im DB hinter der Rds(on) Werten ist nötig um sicher den Widerstandswert zu erreichen - das sind aber mehr Spannungswerte die üblich sind (10 V bzw. 4,5 V sind üblich), keine Eigenschaft des MOSFETs. Da die Eigenschaften des BUZ11 bei 4,5 V nicht gute definiert sind, fehlen die Werte hier.
Mit dem BUZ11 kann es mit 5 V funktionieren, muss es aber nicht. Wenn man ein Exemplar mit hohem Threshhold erwischt (4 V) kann man mit 5 V nur relativ wenig Strom durchschalten bzw. hat relativ große Verluste. Eine Exemplar mit 2,5 V Threshhold ist schon brauchbar mit 5 V Gate-Spannung. Besser ist aber ein LL Fet, wo alle Exemplare gehen, weil eine Schwellspannung von unter etwa 2-3 V garantiert ist.
Der Widerstand am Gate sollte schon rein, um Störungen zu reduzieren. Absolut nötig ist er aber nicht. Für die kurze Zeit zum Laden des Gates vertragen die meisten µCs auch einen höheren Strom oder auch Kurzschluss. Der Widerstand darf entsprechend auch ruhig kleiner sein, z.B. 50 Ohm. Die Funktion ist mehr ein HF- Schwingen zu verhindern für den Fall das die Leitungen etwas ungünstig liegen - sonst müsste man die Schaltung vom Layout schon für Frequenzen bis vielleicht 100 MHz (je nach Typ ggf. auch noch etwas mehr) auslegen, was alles andere als einfach ist. Da ist der Widerstand einfacher und zuverlässiger.
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