Frage zu diesem Transistor

[joar50]

Die Bemerkung vom joar50 ist nicht Wahr, da laut DB ist die zum Umaschalten nötige Gatespannung Vgs(th) = 2,1 - 4V (typ. 3V)

Fehler: Leider gibt die Vgs(th) die Spannung an bei der der MOSFET sicher sperrt. Bis zum sicheren Durchschalten ist mind. die doppelte Spannung nötig. Der genaue Wert steht im DB hinter Rds(on).

[joar50]

@toter_fisch:
Tut mir leid, du kannst es gern so probieren, aber es wird Probleme geben. Zumindest wird der MOSFET sehr heiß werden, weil er nie voll durchsteuert.
Ich wünsche dir aber trotzdem bei deinem Projekt viel Erfolg. Ich ziehe mich aus der Diskussion zurück.

[PICture]

Die im DB angegebene Vgs = 10 V gilt aber für Id = 19 A und der toter_fisch braucht nur um 1,5 A schalten.

[joar50]

Nein die 10V beziehen sich auf den Rds(on) (voll durchgeschaltet). Wenn du meinen letzten Post gelesen hättest, hättest du gelesen was ich geschrieben habe

du kannst es gern so probieren, aber es wird Probleme geben. Zumindest wird der MOSFET sehr heiß werden, weil er nie voll durchsteuert.

Datenblätter sind nicht dazu da sie so auszulegen wie man sie braucht.

Nicht warum, sondern wie ist es am einfachsten ? Basteln und lernen.

Viel Erfolg mit der Einstellung
Wie ich dir schon mehrfach sagte, wenn du Probleme hast schreibe mich direkt an. Dem TO helfen unsere Diskussionen nichts.

[Besserwessi]

Wie so oft liegt die Wahrheit in der Mitte: Die Threashholdspannung gibt an wann der MOSFET anfängt zu leiten. Um einen nennenswerten Strom durchzulassen braucht man schon etwas mehr Spannung, also eher 2-3 V mehr. Hier kommt das etwa auf das doppelte raus - muss es aber nicht.
Die Spannung im DB hinter der Rds(on) Werten ist nötig um sicher den Widerstandswert zu erreichen - das sind aber mehr Spannungswerte die üblich sind (10 V bzw. 4,5 V sind üblich), keine Eigenschaft des MOSFETs. Da die Eigenschaften des BUZ11 bei 4,5 V nicht gute definiert sind, fehlen die Werte hier.

Mit dem BUZ11 kann es mit 5 V funktionieren, muss es aber nicht. Wenn man ein Exemplar mit hohem Threshhold erwischt (4 V) kann man mit 5 V nur relativ wenig Strom durchschalten bzw. hat relativ große Verluste. Eine Exemplar mit 2,5 V Threshhold ist schon brauchbar mit 5 V Gate-Spannung. Besser ist aber ein LL Fet, wo alle Exemplare gehen, weil eine Schwellspannung von unter etwa 2-3 V garantiert ist.

Der Widerstand am Gate sollte schon rein, um Störungen zu reduzieren. Absolut nötig ist er aber nicht. Für die kurze Zeit zum Laden des Gates vertragen die meisten µCs auch einen höheren Strom oder auch Kurzschluss. Der Widerstand darf entsprechend auch ruhig kleiner sein, z.B. 50 Ohm. Die Funktion ist mehr ein HF- Schwingen zu verhindern für den Fall das die Leitungen etwas ungünstig liegen - sonst müsste man die Schaltung vom Layout schon für Frequenzen bis vielleicht 100 MHz (je nach Typ ggf. auch noch etwas mehr) auslegen, was alles andere als einfach ist. Da ist der Widerstand einfacher und zuverlässiger.

[joar50]

@Besserwessi:
Auch dir gebe ich nicht Recht:
Die Threashholdspannung ist die Spannung bei der der MOSFET sicher sperrt. Wir wollen hier keine Wortspiele betreiben, selbstverständlich fängt oberhalb der Threashholdspannung der MOSFET an zu leiten. Ist aber nicht voll durchgesteuert, was anderes habe ich nie geschrieben.

[Manf]

http://www.datasheetcatalog.org/data...onics/2947.pdf

Der Hersteller macht seine Angaben im Datenblatt. Auf Seite 4 oben rechts Transfer Characteristics kann man beispielsweise ablesen, wie groß die Spannung Ugs sein muss, um 1,5A Drainstrom zu führen. So 4,6V bis 4,8V könnten es sein. Wenn man noch die Exemplarsteuung dazunimmt sieht man, dass es mit ungefähr 5V sehr sehr unsicher wird.
Bei 7V ist man für den Strom eher auf der sicheren Seite.

[PICture]

Hallo!

Am besten sieht man in angehängter Grafik (aus DB): ab V_DS = 3V bei V_GS = 5 V erreicht man sicher einen Strom I_D über 7A.