Ich schreibe mit Page Write und anschließendem Acknowledge Polling, gelesen wird der gesamte EEPROM-Inhalt am Stück mit Random Address Read, beides beginnend bei Adresse 0. Der einzige Unterschied, den ich bisher finden konnte ist der, dass unterschiedliche Typen mit gleicher Speichergröße verschieden große Pagewrite-Buffer besitzen. Das habe ich aber schon berücksichtigt.


Gruß
Skilltronic