4N25 um Taster zu ersetzen .

[chillller]

sorry , hab noch ne frage :

im datenblatt unter Emitter-Collector voltage und Emitter-Base Vortage , die 7V . das sind schon maximal werte oder ? da ich 4.5V schalten will .
und wird der emittier-collector strom verstärkt , wie beim normalen Transistor, oder schaltet das nur ?

Parameter		Symbol	Rating	Bild hier   Unit
Input	Forward current	IF	50	mA
Peak forward current (t = 10μs)	IFM	1	A
Reverse voltage	VR	6	V
Power dissipation (TA = 25°C)Derating factor (above 100°C)	PD	70	mW
3.8	mW/°C
Output	Collector-Emitter voltage	VCEO	80	V
Collector-Base voltage	VCBO	80	V
Emitter-Collector voltage	VECO	7	V
Emitter-Base voltage	VEBO	7	V
Power dissipation (TA = 25°C)Derating factor (above 100°C)	PC Bild hier	150	mW
9.0	mW/°C

[PICture]

Die von dir genannte Spannungen VEC0 und und VEB0 beziehen sich nur auf umgepolte EC und EB Strecken. Es wird nur in BE durch LED erzeugter Photostrom verstärkt. Der Phototransistor sollte deshalb als von der interner LED veränderbarer Widerstand betrachtet werden.