Ich denke ich werde auf so einen LL-Mosfet zurückgreifen.aber die frage ist wo ist bei mir der fehler (ehrgeiz nervt manchmal) Gatespannung beträgt 10V, das sollte eigentlich mehr als genügen.
Ich denke ich werde auf so einen LL-Mosfet zurückgreifen.aber die frage ist wo ist bei mir der fehler (ehrgeiz nervt manchmal) Gatespannung beträgt 10V, das sollte eigentlich mehr als genügen.
auch dein impuls? Mit dem Oszilloskop gemessen? Wie lang ist der Impuls?????
so jetzt. also der impuls ist 100ms. jetzt geht es auch (Handisch) lag an dem vorwiderstand. hab jetzt einen 0,05ohm widerstand drin.
war auch irgendwie klar wenn man sich die rechnung anschaut.
Rspule=0,3ohm, Ub=12V, Imax=30A
I=12V/0,3Ohm=40A -> Schaltnetzteil gibt aber nur 30A ergo Spannung bricht ein
Jetzt da alles in Reihe ist Rges=Rvor+Rspule=0,05+0,3=0,38Ohm
I=12V/0,38Ohm=31,5A
Wenn ich den Vorwiderstand auf 0,07Ohm setzte komm ich genau auf 30A
Bezüglich Verlustleistung. Wenn ich mit P=I*I*R rechne komm ich auf 39,6W| Rds=0,044Ohm
Wie komm ich auf 70W??
Mfg FLo
Habe einfach deine Werte verwendet. Wenn 2,1V über dem Transistor abfallen und das bei 33A, dann sind das knapp 70W die er verheizen muß.
schau dir mal im DB das Diagramm zur "Maximum Safe Operating Area" geht nur bis zu 10ms Impulsen und da bei 12V nur 10A. Wenn du dabei bleiben willst mußt du wohl die Impulsdauer verkürzen.
Na wenn es jetzt klappt ist es doch super
Bei 70W Leistung bezweifel ich aber ob da ein normaler kleiner Kühlkörper was bringt. Ich würd eher versuchen den an ein Blech zu befestigen, sodass du einen größeren Kühlkörper hast.
Warum muss er die Impulse verkürzen wenn der FET bei 10ms Impulsen nur 10A treiben kann? Er hat doch 100ms Impulse. Da sollten doch 30A kein Problem sein oder bringe ich da was durcheinander?
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Daniel Kampert
Es gibt 10 Arten von Menschen. Die einen können Binär, die anderen nicht.
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