So hatte ich das auch in etwa gemeint!
weisst du noch was du für einen transistor verwendet hast? die haben alle einen großen Basistrom von ca. 1 A
So hatte ich das auch in etwa gemeint!
weisst du noch was du für einen transistor verwendet hast? die haben alle einen großen Basistrom von ca. 1 A
Ich habe, wie erwähnt, die Version mit Netztrafo praktisch verwendet. Für deine Schaltung eignet sich z.B. BU508AF in Kunststoffgehäuse: http://www.datasheetcatalog.org/data.../BU508AF_2.pdf . Wie kommst du auf 1A Basisstrom, vieleicht ist das max. Wert ?
MfG (Mit feinem Grübeln) Wir unterstützen dich bei deinen Projekten, aber wir entwickeln sie nicht für dich. (radbruch) "Irgendwas" geht "irgendwie" immer...(Rabenauge) Machs - und berichte.(oberallgeier) Man weißt wie, aber nie warum. Gut zu wissen, was man nicht weiß. Zuerst messen, danach fragen. Was heute geht, wurde gestern gebastelt. http://www.youtube.com/watch?v=qOAnVO3y2u8 Danke!
Also laut datenblatt war das bei dem Typ den ich rausgesucht hatte so,
und bei dem den du eben vorgeschlagen hast sind es sogar 2A oder?
VBEsat Base-emitter saturation voltage IC = 4.5 A; IB = 2 A
Das sind nur Messungsbedingungen, das bedeutet eben, dass bei IB = 2 A und IC = 4,5 A die Sättigungspannung VBEsat = max. 1,1 V ist, sonst nix. Den Basistrom kann man immer ab 0 selber bestimmen.![]()
Geändert von PICture (15.11.2011 um 21:05 Uhr)
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Die Verlustleistungen an den Widerständen werden aber sicher sehr hoch werden oder?
Sehr hoch ist relativ P = U² / R. Ich komme für R6 auf ca. 0,5 W und für R7 ca. 1W, würde also entsprechend 1W bzw. 2W oder mehr nehmen, damit sie im geschlossenem Gehäuse und Dauerbelastung nicht sehr warm werden.![]()
Geändert von PICture (16.11.2011 um 14:00 Uhr)
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