Bzgl Vorschlag von Claus: statt Diode D3 -> 7805
wie DIE HARD schon meinte, das kann ins Auge gehen wg. der Gate-Spannung der
PMOS FETs an den H-Bruecken.
Zumindest I1 und I13 (2x 74HCT00) solten an der gleichen hohen VCC haengen.
Bin gerade dabei, das Platinenlayout rauszuknobeln um eine Stelle zu finden, wo
nur der Prozessor und das EEPROM dranhaengen. Da bau ich dann einen 78L05 ein.

Nochmal ein Wort der Warnung: Wenn man Bausteine mit zu hoher Spannung betreibt,
kann das fuer eine gewisse Zeit gutgehen. Aber der Baustein wird dabei so gestresst,
dass er viel frueher stirbt als bei nominaler Spannung (Elektromigration u. dgl.).
Vielleicht ist das Board ja so ausgelegt, dass es genau mit Ablauf der Garantie
den Geist aufgibt
Dann haben wir zumindest 2 Jahre vollen Spieltrieb voraus...

Gruss
Chris