Hallo,
wenn man für den Highside Fet einen N-Kanal verwendet, benötigt er zum durchschalten ein positives Gate-Source Signal (typisch verwendet ca. 8-15V damit er richtig durchsteuert mit einem Limit bei ca. 18-20V). In der Highside Anwednung kommt es aber in Betriebszuständen vor, dass das Potential an Source der Höhe der Betriebsspannung entspricht. Also benötigt man zum durchsteuern ein floatendes potential, das gegenüber Source immer ca. 8V größer ist. Dies erreicht man daruch , dass der Bootstrapkondensator während der Sperrphase des Lowside Fet auf ca. 8-15 über dei Diode geladen wird. Geht nun das Source Potential nach oben (wo auch der Kondensator dran angreift) wandert das Potential mit. D.h. + am Bootstrapkondensator ist immer 8-15V über dem Source Potential. Somit kann der Fet immer sicher durchgesteuert werden. Einen Makel hat es aber. 100% Einschaltdauer des Highside Fet geht nicht, da der Kondensator nachgeladen werden muss was nur während der Leitendphase des Lowside Fet passiert. Für 100% ED benötigt man eine potentialgetrennte Ansteuerung z.B. über einen Übertrager, der die 8-15V potentialgetrennt zu verfügung stellt.

MfG
Manu