Wenn an beiden FET die gleiche Gatespannung anliegt fließt, aufgrund Fertigungstoleranzen, durch Drain-Source trotzdem nicht der gleiche Strom.
Wenn sich der FET, der mehr Strom übernimmt erwärmt, verringert sich der Innenwiderstand und der Strom steigt noch weiter an. Im ungünstigsten Fall geht das bis zur Zerstörung.
Durch den Spannungsabfall am Widerstand in der Source-Leitung verringert sich die Gate-Source-Spannung und damit auch der Strom durch den FET.
Auf diesem Weg wird verhindert das ein FET den Großteil des Gesamtstrom übernimmt und dadurch möglicherweise den Hitzetod stirbt.