Der Leckstrom sollte auch bei großen MOSFETs kaum über 1 µA gehen. Dagegen würde schon ein ziemlich großer Pulldown Widerstand helfen. Das Problem wird eher sein, das der MOSFET nicht schnell genug abschaltet. Über die Kapazität am Gate und den Widerstand kann es da schon mal ein paar µs dauern. Die Pause zwischen den Stellen sollte entsprechend lang sein. Für einen Druchgang mit 5 Stellen hat man rund 10-20 ms, oder 2-4 ms je Stelle. Da sollten 10-50 µs als Verzögerung über sein.

Wie sieht denn der Gate Treiber aus ? Vielleicht geht es da jo noch etwas schneller.