Die BSP318 sind schon logic level FETs, nur halt N-Kanal. Für die Anoden braucht man High side Treiber, und dafür sind nun mal N Kanal MOSFETs nicht so gut, egal ob als Logic Level oder nicht.

Man kann das noch gerade so machen: Das Gate kriegt über Transistor und Wiederstand bis zu 15 V, notfalls auch bis 18 V. Der Ausgang kriegt dann etwa 3 V weniger als das Gate. 3 V mal 1,2 A sind schon reichlich viel Leistung für den FET, aber das ist ja nur gepulst. Ein Problem ist, das der Spannungsabfall nicht immer gleich ist, es sei denn man hat am Gate z.B. 18 V und an Drain nur 14 V. Man braucht dann aber 2 geregelte Spannungen.

Die kleinen Widerstände (mit Draht) sind bis etwa 250 mW, die üblichen SMD 0805 eher so bis 100 mW. Für 0,9 W braucht man schon etwas größere Widerstände.