Der MosFET hat eine integrierte Freilaufdiode, wenn ich das Datenblatt richtig gedeuted habe
Jein. Das ist eine Parasitäre Diode die beim Herstellungsprozess entsteht. Sie hat dementsprechen bescheidene Eigenschaften. Allerdings wird sie häufig als Freilaufdiode missbraucht und ich glaube eigentlich nicht das es daran liegt.

Das Gate des Mosfets hat eine gewisse Kapazität. Diese Kapazität muss beim Einschalten aufgeladen werden. Während dem Einschalten ist der Widerstand und damit die Verlustleistung sehr groß. Deshalb muss das sehr schnell geschehen. Im bereich von µs!

Im Datenblatt steht die Gateladung Q. Mit Q = i * t kannst du den notwendigen Strom abschätzen.

gruß,
kounst