Die Zeit für das Umschalten sollte deutlich kürzer werden, sonst hat man zu viel Verluste. Ein Anhaltspunkt ist z.B. die Revese-recovery zeit der Dioden, die man beim Syncronwandler gerade ersetzen will. Wenn man langsamer schaltet, dann braucht man keinen Syncronwandler, zumindest nicht bei den relativ hohen Spannungen.

Also nicht 1 µs, sondern eher so im Bereich 100 ns. Bei ein Gate Ladung von 322 nC und 100 ns macht das dann einen Strom von rund 3 A im Mittel. Da wäre dann wohl eher ein Gate Treiber mit 5-10 A passender.
Die Widerstände sind zum Begrenzen der Stromspitzen und als EMV Schutz, aber die Ladung muß ja nun mal abfließen.

Wenn einem das zu viel Strom ist, hilft nur langsamer schalten und entsprechend auch einen niedrigere Frequenz nehmen. Oder man muß ggf, auch einen etwas kleineren Transistor nehmen und hat dann mehr Verluste wenn der FET leitet, dafür aber weniger Umschaltverluste.

Der IRS2153DPBF ist als Treiber für den oben genannten MOSFET nicht gut geeigent, jedenfalls nicht bei 100 kHz - für 10 kHz vielleicht. Entweder ist der Treiber zu klein oder der FET zu groß.