Die Schaltung mit R1 und R2 ist bei einem Mosfet völlig unnötig. Diese Widerstände bilden einen Spannungsteiler, so dass nur die Hälfte der angelegten Spannung am Gate des Mosfets ankommt, so dass dieser nicht mehr so gut durchschaltet. Es reicht aus, einfach das Gate des Mosfets über einen relativ kleinen Widerstand (z.B. 100 Ohm) an den IO-Pin des µC anzuschliessen. Ein Mosfet schaltet zwar theoretisch stromlos. Beim Umschaltvorgang muss aber die Gateladung umgeladen werden. Dazu fliesst für kurze Zeit doch ein Strom. Je höher dieser Strom ist, desto schneller schaltet der Mosfet und desto geringer sind die Umschaltverluste. Bei so hohen Widerständen wird das Gate nur sehr langsam umgeladen, was zu hohen Schaltverlusten und je nach Last und Dimensionierung des Mosfets zu einer Zerstörung des Mosfets führen kann. Nach Ende des Umschaltvorgangs fliesst (nahezu) kein Strom mehr in das Gate, auch wenn der Widerstand zwischen µC und Gate sehr klein ist.